Изменение характеристик полупроводниковых структур СВЧ-усилителей под воздействием импульсного лазерного излучения

Исследовано действие импульсного лазерного излучения на изменение параметров полупроводниковых структур полевых транзисторов с затвором Шотки с рабочим диапазоном частот 1.5–8 GHz и интегральных усилителей с рабочим диапазоном частот 0.4–6 GHz. Лазерное излучение с длительностью импульса 25 ns, падающее на кристалл транзистора, создает импульсный фототок. Показано, что амплитуда импульсного фототока в три раза превышает рабочий ток транзистора. Измерены вольт-амперные характеристики полевого транзистора в режиме импульсного лазерного излучения. Исследована зависимость амплитуды импульсного фототока в полупроводниковых структурах от мощности лазерного излучения для длин волн 1.06 и 0.53 $\mu$m. Показано, что в результате воздействия импульсного лазерного излучения на полупроводниковые структуры происходит кратковременный срыв усиления высокочастотного сигнала на выходе усилителя.