RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2021, том 91, выпуск 10, страницы 1431–1440 (Mi jtf4910)

XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Н. Новгород, 9--12 марта 2021 г.
Теоретическая и математическая физика

Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)

М. Б. Семеновa, В. Д. Кревчикa, Д. О. Филатовb, А. В. Шороховacde, А. П. Шкуриновaf, И. А. Ожередовaf, П. В. Кревчикa, Y. H. Wangg, T. R. Lig, A. K. Malikh, М. О. Марычевb, Н. В. Байдусьb, И. М. Семеновa

a Пензенский государственный университет
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Jyväskylä, Seminaarinkatu, 15, PO BOX 35, Fl-40014, Finland
d International Research Centre Mag Top, Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland
e Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, Саранск, Россия
f Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
g Key Laboratory for Special Function Materials, School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, 730000 Lanzhou, China
h Department of Physics, Multanimal Modi College Modinagar, 201204 Uttar Prasesh, India

Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств GaAs $p$$i$$n$-фотодиода с двойными асимметричными квантовыми точками (ДАКТ) InAs, полученными методом самоформирования в процессе МОС-гидридной эпитаксии. В зависимости фототока от напряжения обратного смещения при монохроматическом фотовозбуждении ДАКТ на длине волны, соответствующей энергии межзонных оптических переходов между основными состояниями дырок и электронов в квантовых точках (КТ) большего размера, обнаружены 3 пика, связанные с туннелированием фотовозбужденных электронов между КТ, в том числе – диссипативным (с поглощением и испусканием оптических фононов). Результаты эксперимента качественно согласуются с теоретической полевой зависимостью вероятности 1D-диссипативного туннелирования между КТ.

Ключевые слова: вертикально-совмещенные двойные асимметричные квантовые точки, InAs, GaAs, туннельные оптические переходы, фотопроводимость, диссипативное туннелирование.

Поступила в редакцию: 18.03.2021
Исправленный вариант: 18.03.2021
Принята в печать: 18.03.2021

DOI: 10.21883/JTF.2021.10.51354.66-21



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024