Формирование наноструктурированных пленок MoS$_{2}$, WS$_{2}$, MoO$_{2}$ и гетероструктур на их основе

Синтезированы тонкопленочные покрытия из двумерных материалов WS$_{2}$, MoS$_{2}$, MoO$_{2}$ и композитов на их основе, исследованы морфологические и структурные свойства осаждаемых покрытий. Получение пленок производилось методом осаждения из газовой фазы с использованием порошкообразных прекурсоров MoO$_{3}$, WO$_{3}$ и S. Определены зависимости структурно-морфологических свойств, химического состава получаемых пленок от параметров процесса осаждения. Среди прочих получены пленки, состоящие из вертикально ориентированных пластин как из чистого MoO$_{2}$, так и из MoO$_{2}$, покрытого тонким слоем MoS$_{2}$, поликристаллические пленки, состоящие из кристаллитов WS$_{2}$ правильной треугольной формы, а также однородные сплошные пленки WS$_{2}$ толщиной порядка 20 nm с площадью покрытия порядка 2 $\times$ 2 mm. Были получены также пленки, состоящие из наложенных друг на друга кристаллитов WS$_{2}$ правильной треугольной формы и кристаллитов MoS$_{2}$ без правильной огранки.