Оптимизация режимов изготовления пленок Nb, NbN, NbTiN и высококачественных туннельных переходов на их основе для приемных структур терагерцевого диапазона

Описана оптимизация существующей технологии изготовления сверхпроводящих пленок и высококачественных туннельных переходов на установке магнетронного распыления. Для расширения частотного диапазона до 1 THz и получения предельных параметров сверхпроводниковых элементов были оптимизированы режимы изготовления пленок Nb, NbN и NbTiN. Для создания приемных элементов на частоты выше 700 GHz туннельные переходы сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник Nb/Al–AlN/NbN включаются в микрополосковую линию NbTiN–SiO$_{2}$–Al. Такие структуры разрабатываются для матричного приемника на телескопе Atacama Pathfinder Experiment и ряда других радиоастрономических проектов.