Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов

Показано, что архитектура мезы и достигнутое качество боковых поверхностей мезаструктуры концентраторных многопереходных солнечных элементов обеспечивает повышение их эффективности до 36.7% при кратности концентрации до 100$\times$(АМ0; 0.136 W/cm$^{2}$). Создание архитектуры мезаструктур с последующим разделением эпитаксиальных пластин монолитных InGaP/Ga(In)As/Ge-наногетероструктур на чипы проводилось методом одноэтапного химического травления в растворе НВr:H$_{2}$O$_{2}$:H$_{2}$O (8:1:100), через маску из фоторезиста на глубину 12–18 $\mu$m. Определены условия одноэтапного травления, обеспечивающие формирование гладкой и ровной боковой поверхности мезы InGaP/Ga(In)As/Ge-наногетероструктуры, содержащей различные по составу и толщинам слои. Определение энергии активации показало, что травление протекает в диффузионной области гетерогенного процесса. При повышении температуры травителя с 2 до 36$^\circ$С наблюдается изменение угла наклона в области Ge-подложки с 4.5 до 25$^\circ$, что позволяет оптимизировать количество концентраторных солнечных элементов и их качество при финальном механическом разделении эпитаксиальной пластины на чипы.