Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In

Методом атомно-силовой микроскопии исследована топология поверхности эпитаксиальных пленок твердого раствора теллурида свинца и олова, в том числе с добавлением индия (Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te:In), выращенных на монокристаллических подложках BaF$_{2}$(111) и буферном слое CaF$_{2}$/BaF$_{2}$ на Si(111). Показано, что характерные статистические показатели рельефа обусловлены особенностями роста пленки и механизмом встраивания индия, избыточное содержание которого зарегистрировано на поверхности ex situ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.