RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2021, том 91, выпуск 4, страницы 579–588 (Mi jtf5032)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Плазма

Влияние вида функции распределения электронов в плазме и дисперсии по энергии электронного пучка на устойчивость низковольтного пучкового разряда

В. С. Сухомлиновa, Р. М. Матвеевa, А. С. Мустафаевb, В. А. Павловa, С. В. Гордеевa

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский государственный горный университет

Аннотация: B рамках кинетического подхода исследованы условия потери устойчивости низковольтного пучкового разряда в инертных газах в зависимости от температуры электронного пучка, дисперсии скорости электронов пучка в направлении оси разряда и вида функции распределения электронов по энергиям (ФРЭ). Рассмотрены режимы, когда межэлектродное расстояние порядка длины пробега электронов относительно упругих столкновений с атомами инертного газа. Показано, что температура пучка $T_{b}$, определяемая в низковольтном пучковом разряде температурой катода, не превосходящей 1500 K, и дисперсия энергии электронов пучка, которая в разряде этого типа может быть существенно больше величины $kT_{b}$, и достигает 1–2 eV, слабо влияют на условия потери устойчивости и величину инкремента усиления возмущений на частотах вплоть до плазменной. Обнаружено, что вид ФРЭ, монотонно падающей с увеличением энергии электронов, также не влияет на параметры распространяющихся в низковольтном пучковом разряде возмущений при энергии пучка много больше средней энергии электронов в плазме. Полученные результаты применимы не только к разряду этого типа, но и другим видам самостоятельных пучковых разрядов.

Ключевые слова: низковольтный пучковый разряд, плазменные неустойчивости, системы электронный пучок-плазма, функция распределения электронов.

Поступила в редакцию: 09.10.2020
Исправленный вариант: 09.11.2020
Принята в печать: 10.11.2020

DOI: 10.21883/JTF.2021.04.50620.286-20


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2021, 66:12, 1301–1310

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024