RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2021, том 91, выпуск 1, страницы 51–57 (Mi jtf5098)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Твердое тело

Механические свойства поверхностных Ti–Ni–Ta- и Ti–Ni–Ta–Si-сплавов, синтезированных на подложках из никелида титана

Ф. А. Дьяченкоa, Л. Л. Мейснерa, А. Р. Шугуровa, А. А. Нейманa, В. О. Семинa, А. А. Атовуллаеваb

a Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
b Национальный исследовательский Томский государственный университет

Аннотация: Исследованы физико-механические свойства поверхностных сплавов на основе Ti–Ni–Ta- и Ti–Ni–Ta–Si толщиной $\sim$1 $\mu$m, синтезированных на TiNi-подложках аддитивным тонкопленочным электронно-пучковым способом, изучено влияние этих поверхностных сплавов на функциональные свойства композиционных систем [Ti–Ni–Ta поверхностный сплав/TiNi подложка] и [Ti–Ni–Ta–Si поверхностный сплав /TiNi подложка]. Установлено, что поверхностный Ti-Ni-Ta-Si-сплав с аморфной структурой характеризуется более высокими градиентами твердости и модуля Юнга по сравнению с поверхностным Ti-Ni- Ta-сплавом, и более высокой пластичностью: на $\sim$10% большей, чем у TiNi-подложки и в $\sim$2 раза большей, чем у Ti-Ni-Ta. Оценка характеристик эффекта памяти формы и сверхэластичности композиционных систем [Ti-Ni-Ta поверхностный сплав/TiNi подложка] и [Ti-Ni-Ta-Si поверхностный сплав/TiNi подложка] показала, что синтез поверхностного сплава с аморфной структурой приводит к почти двукратному увеличению напряжения мартенситного сдвига и значительному уменьшению ширины гистерезиса напряжений в петле напряжение-деформация по сравнению с образцами исходной TiNi-подложки.

Ключевые слова: никелид титана, поверхностные сплавы, аддитивный тонкопленочный электронно-пучковый способ, физико-механические свойства, эффекты памяти формы и сверхэластичности.

Поступила в редакцию: 22.05.2020
Исправленный вариант: 25.06.2020
Принята в печать: 02.07.2020

DOI: 10.21883/JTF.2021.01.50272.176-20


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2021, 66:1, 46–52

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024