Аннотация:
Изготовлен анодный элемент рентгеновского литографа в виде мембранной структуры PolySi/Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ по групповой технологии. Модернизирована конструкция стенда для определения механических свойств мембран. Критическое давление мембранной структуры диаметром 250 $\mu$m изменялось в диапазоне от 0.484 до 0.56 MPa для 15 образцов. Механическая прочность структуры PolySi*/Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ составила 3.13 GPa. Новая модель в пакете Comsol показала хорошую корреляцию между экспериментальным критическим давлением и теоретической механической прочностью мембраны. Представлено распределение механических напряжений по мембране посредством моделирования и аналитического расчета. Доказано, что область разрыва структуры локализована на границе мембрана/подложка.