RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2020, том 90, выпуск 10, страницы 1758–1763 (Mi jtf5191)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Твердотельная электроника

Проблемы при использовании травителя KOH-IPA для текстурирования кремниевых пластин

Н. А. Чучвагаab, Н. М. Кисляковаa, Н. С. Токмолдинabc, Б. А. Ракыметовa, А. С. Сериккановa

a Satbaev University, Institute of Physics and Technology, Алматы, Казахстан
b ТОО "НПЦ Агроинженерии", г. Алматы
c Казахский национальный университет им. аль-Фараби

Аннотация: Процесс влажной химической обработки монокристаллических кремниевых пластин, включающий их текстурирование, представляет собой одну из ключевых стадий технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов. В рамках работы были изучены способы текстурирования монокристаллических кремниевых пластин для солнечных элементов. В результате исследований были определены оптимальные параметры технологии текстурирования для исследуемых образцов, а также определен основной вид травителя для процессов текстурирования, представляющий собой раствор KOH с изопропанолом.

Ключевые слова: фотовольтаика, кристаллический кремний, HIT, фотоэлемент, текстурирование, влажная химия, СЭМ.

Поступила в редакцию: 30.12.2019
Исправленный вариант: 05.03.2020
Принята в печать: 05.03.2020

DOI: 10.21883/JTF.2020.10.49810.431-19


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2020, 65:10, 1685–1689

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024