Датчик слабого магнитного поля на основе азотно-вакансионных центров окраски в кристалле алмаза

Исследован эффект магнитозависимого поглощения радиочастотного высокочастотного излучения, регистрируемого методом оптически детектируемого магнитного резонанса, и предложено его объяснение. Экспериментально исследован способ высокочастотного возбуждения оптически детектируемого магнитного резонанса в азотно-вакансионных центрах окраски в кристалле алмаза, обеспечивающий магнитометрическую чувствительность на уровне единиц nT в полосе 1 Hz в нулевых и слабых ($<$ 0.1 mT) магнитных полях. Способ не предполагает использования сверхвысокочастотных полей, что обусловливает его привлекательность для биологических и медицинских применений, в первую очередь – для задач инвазивной магнитоэнцефалографии.