Образование множественных сбоев в изделиях электроники под действием протонов и нейтронов

Проведено облучение нуклонами на пучках синхроциклотрона Петербургского института ядерной физики (ПИЯФ) интегральных схем памяти типа SRAM с технологической нормой 90 nm и оптоэлектронных изделий: CCD- и CMOS-матриц. Представлены данные по сечениям образования сбоев в интегральных схемах памяти под действием протонов с энергией 1000 MeV и пикселей с большой величиной темнового тока (спайков) в оптоэлектронных изделиях, облученных протонами с энергией 1000 MeV, и нейтронами с энергетическим спектром, подобным спектру атмосферных нейтронов. Основное внимание уделено исследованию возникновения кластеров спайков и множественных сбоев. Установлено, что основная часть спайков и одиночных сбоев находится в составе кластеров.