RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2020, том 90, выпуск 3, страницы 456–461 (Mi jtf5363)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Твердотельная электроника

Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра

М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, Ю. В. Кожановаb, Е. А. Борсукa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Представлены результаты исследований влияния различных дефектов на вид спектров фото- и электролюминесценции (интенсивность и длину волны излучения) структур $n$-ZnO/$p$-GaN.

Ключевые слова: пленки ZnO, $p$-GaN, спектры фотолюминесценции в УФ области спектра.

Поступила в редакцию: 24.10.2018
Исправленный вариант: 11.01.2019
Принята в печать: 30.09.2019

DOI: 10.21883/JTF.2020.03.48931.378-18


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2020, 65:3, 434–439

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024