Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов

Методами оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии изучено влияние имплантации ионов Ва$^{+}$ на состав, кристаллическую и электронную структуры поверхности свободных пленок Si–Cu(100). В частности, показано, что имплантация ионов Ва и последующий отжиг позволяют получить нанопленки типа ВаSi с некоторым (до 10 at.%) избытком несвязанных атомов Si.