Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC

Неразрушающими бесконтактными методами исследованы карбидокремниевые подложки и эпитаксиальные структуры. Параметры нарушенного поверхностного слоя и шероховатости определены методами эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии. Концентрация свободных носителей заряда определена методом ИК спектроскопии. Толщины в многослойной эпитаксиальной структуре на SiC определены с помощью ИК спектроскопии и растровой электронной микроскопии.