С. П. Лебедев, И. С. Бараш, И. А. Елисеев, П. А. Дементьев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена”, ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 12,страницы 1940

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика низкоразмерных структур

Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена

С. П. Лебедев^a, И. С. Бараш^a, И. А. Елисеев^a, П. А. Дементьев^a, А. А. Лебедев^ab, П. В. Булат^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Изучено влияние температуры и длительности травления поверхности 4$H$-SiC (0001) в водороде на структурное совершенство пленок графена, выращиваемых методом термодеструкции. Определено несколько технологических режимов, позволяющих осуществлять травление подложки без изменения стехиометрического состава поверхности. Продемонстрировано, что предростовое травление в водороде при $T$ = 1600$^\circ$C и длительности 1 min позволяет получать более однородный и структурно-совершенный графен, чем травление при $T$ = 1300$^\circ$C и длительности 30 min.

Ключевые слова: графен, карбид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, атомно-силовая микроскопия.

Поступила в редакцию: 25.05.2019
Исправленный вариант: 25.05.2019
Принята в печать: 10.06.2019

DOI: 10.21883/JTF.2019.12.48495.217-19