Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева, “Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs”, ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 10,страницы 1589

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Твердотельная электроника

Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs

Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Аннотация: Показано, что формирование на поверхности GaAs нанопленок GaAlAs приводит к увеличению значения коэффициента эмиссии истинно-вторичных электронов и квантового выхода фотоэлектронов, что объясняется отличием глубины зоны выхода истинно-вторичных электронов для GaAs и для GaAlAs.

Ключевые слова: эмиссионные свойства, оптические свойства, нанопленка, ионная имплантация, пленки GaAs, нанокристаллические фазы.

Поступила в редакцию: 09.09.2017
Исправленный вариант: 16.03.2018
Принята в печать: 01.03.2019

DOI: 10.21883/JTF.2019.10.48177.2475