RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 8, страницы 1254–1258 (Mi jtf5545)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Фотоника

Исследования стабильности тонкопленочных структур Cu–As$_{2}$S$_{3}$ и Ag–As$_{2}$S$_{3}$

А. М. Настас

Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев

Аннотация: Объектом исследования были тонкопленочные структуры Cu–As$_{2}$S$_{3}$ и Ag–As$_{2}$S$_{3}$, полученные методом последовательного термического испарения Cu (Ag) и As$_{2}$S$_{3}$ в вакууме на стеклянные подложки. Образцы хранились в атмосфере воздуха при комнатной температуре в темноте в течение 6 месяцев. Периодически проводилось измерение спектров пропускания исследуемых структур. Логарифм обратного пропускания в области прозрачности As$_{2}$S$_{3}$ был использован в качестве меры, пропорциональной толщине металлической пленки. Установлено, что зависимость толщины металлических пленок от времени хранения изменяется по линейному закону для Ag–As$_{2}$S$_{3}$, а для Cu–As$_{2}$S$_{3}$ зависимость может быть аппроксимирована двумя различными линейными участками. На основании сравнения уменьшения толщины металлического слоя выявлено, что структура Ag–As$_{2}$S$_{3}$ значительно более стабильна, чем структура Cu–As$_{2}$S$_{3}$. Сделано предположение, что при хранении в темноте исследуемых структур серебро в отличие от меди практически не взаимодействует с As$_{2}$S$_{3}$, хотя его диффузия в пленку As$_{2}$S$_{3}$ при хранении происходит непрерывно.

Ключевые слова: халькогенидный стеклообразный полупроводник, тонкопленочные структуры, спектры пропускания, фотодиффузия.

Поступила в редакцию: 01.03.2018
Исправленный вариант: 01.03.2018
Принята в печать: 11.03.2019

DOI: 10.21883/JTF.2019.08.47900.93-18


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2019, 64:8, 1184–1188

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024