Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs

Обсуждены проблемы создания легких гибких солнечных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с удалением подложки методом растворения. Предложены подходы к их решению. Изготовлен двухкаскадный легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs. Определены массогабаритные характеристики солнечного элемента и проведены его испытания на изгиб. Удельный вес составил 0.51 kg/m$^{2}$, а допустимый радиус изгиба – 36 mm. Измерены вольт-амперные характеристики солнечного элемента для спектра AM0 и AM1.5D при 28.6 и 25$^\circ$C соответственно. В первом случае значение коэффициента полезного действия солнечного элемента составило 23.1, а во втором – 28.3%.