Влияние адсорбированных молекул СО на электронное состояние нанопленок иттербия, выращиваемых на кремниевых подложках

Исследована адсорбция молекул монооксида углерода (СО) на нанопленках иттербия толщиной 16–200 монослоев (6.1–76 nm). Пленки выращены на монокристаллических кремниевых подложках с ориентацией поверхности Si (111). Показано, что иттербий до адсорбции молекул СО находится в двухвалентном состоянии с электронной конфигурацией [Xe]4$f^{14}$6$s^{2}$. При адсорбции молекул газа в пленках в той их области, которая прилегает к поверхности, формируется слой, в котором иттербий трехвалентен (электронная конфигурация [Xe]4$f^{13}$5$d^{1}$6$s^{2}$). Произведены оценки толщины модифицированного адсорбированными молекулами СО слоя. Эти оценки дали значения, заключенные в пределах 9–22 монослоя (3.4–8.4 nm).