Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова, “Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba”, ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 7,страницы 1115

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физическая электроника

Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba

Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова

Ташкентский государственный технический университет

Аннотация: Впервые оценены зоны выхода $\lambda'$ истинно-вторичных электронов и фотоэлектронов чистого CdTe и CdTe с пленкой Ba толщиной $\theta\le$ 1 монослоя. Показано, что с уменьшением работы выхода поверхности на 2 eV значение $\lambda'$ увеличивается в 1.2–1.3 раза.

Поступила в редакцию: 10.01.2019
Исправленный вариант: 10.01.2019
Принята в печать: 20.02.2019

DOI: 10.21883/JTF.2019.07.47809.4-19