Фотоприемники ИК-диапазона на основе изопериодических эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца-олова

Методами жидкофазной эпитаксии и термического вакуумного напыления сформированы фотоприемники ИК-диапазона на основе поверхностно-барьерных структур Pb/$\delta$-слой/$p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$_{1-y}$Se$_{y}/p^{+}$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te/Au и Au/$\delta$-слой/$n$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$_{1-y}$Se$_{y}$(BaF$_{2}$)/Pb. Поверхностно-барьерные структуры первого типа при температуре измерений $\sim$ 170 K, пиковой длине волны $\lambda_{p}\sim$ 7.9–8.2 $\mu$m и длине волны отсечки $\lambda_{c}\sim$ 8.2–8.5 $\mu$m имели произведение дифференциального сопротивления при нулевом смещении на активную площадь $R_0A$ = 0.31–0.97 $\Omega$ $\cdot$ cm$^{2}$, пиковую квантовую эффективность $\eta_{\lambda}$ = 0.32–0.48 и удельную обнаружительную способность $D_{\lambda}^*$ = (0.72–1.83) $\cdot$ 10$^{10}$ cm $\cdot$ Hz$^{1/2}$ $\cdot$ W$^{-1}$. Для фотодиодов на основе поверхностно-барьерных структур второго типа при температуре измерений $\sim$ 80 K эти параметры принимали значения в диапазоне $\lambda_{p}\sim$ 8.6–12.3 $\mu$m, $\lambda_{c}\sim$ 9.2–12.9 $\mu$m, $R_0A$ = 1.71–2.72 $\Omega$ $\cdot$ cm$^{2}$, $\eta_{\lambda}$ = 0.34–0.49, $D_{\lambda}^*$ = (3.02–4.51) $\cdot$ 10$^{10}$ cm $\cdot$ Hz$^{1/2}$ $\cdot$ W$^{-1}$.