Гетероструктура SmS/SiC и термовольтаический эффект в ней

Изготовлена гетероструктура на основе монокристаллического SiC и поликристаллической тонкой пленки SmS. В температурном интервале от 300 до 456 K измерен термовольтаический эффект в структуре, максимальная величина которого достигала $\sim$12 mV при $T$ = 456 K. Показано, что величина эффекта соответствует разработанной ранее его концентрационной модели.