Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов

Проведен теоретический анализ возможностей использования теплопроводящих покрытий для охлаждения мощных полевых транзисторов на основе гетероструктур с арсенид-галлиевой подложкой. При сохранении базовой технологии изготовления транзисторов и без дополнительных мер по уменьшению теплового сопротивления подложки введение дополнительного теплового интерфейса в виде диэлектрического теплопроводящего покрытия позволяет значительно уменьшить перегрев канала транзистора. В зависимости от толщины покрытия, конструкции транзистора и режима его работы перегрев канала может быть снижен в несколько раз.