Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей

Разработана многослойная система омических контактов для GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей излучения. Предложена и исследована технология “чернения” омических контактов с целью уменьшения коэффициента отражения оптического сигнала от поверхности многослойного контакта на основе структуры Ag/Au/Ag. Достигнуто снижение коэффициента отражения излучения от контактов более чем в 10 раз за счет чернения омических контактов.