Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов

Получен реструктурированный цинк (цинк высокой чистоты, подготовленный путем механо-термического воздействия различного уровня интенсивности), и проведено изучение его структуры методами позитронной спектроскопии. В реструктурированных образцах обнаружены и количественно исследованы объемные дефекты вакансионного типа (вакансии и вакансионные кластеры), а также области с расширенной кристаллической решеткой. Эти эффекты являются причиной возникновения внутренних микронапряжений в материале, которые обуславливают изменение свойств материала.