Температура поверхности конденсации как инструмент для исследования механизмов формирования пленок

Повышение температуры поверхности конденсации в процессе роста пленки есть результат диссипации различных видов энергии на этой поверхности. Одним из видов энергии является теплота химических реакций, которая выделяется в процессе осаждения пленки, получаемой реакционным магнетронным распылением. Мониторинг температуры поверхности, $T_{\operatorname{surf}}$, при осаждении пленок TiN при реакционном (Ti–in–N$_{2}$) и безреакционном (TiN–in–Ar и TiN–in–N$_{2}$) методах распыления показал, что максимальная величина этой температуры наблюдалась при реакционном методе, а в ряду безреакционных модификаций (TiN–in–Ar)–(TiN–in–N$_{2}$) она убывала. В то же время состав и кристаллическая структура пленок TiN не зависели от метода получения и соответствовали таковым у объемного нитрида титана. На основании этих результатов предложен механизм формирования пленок, получаемых указанными методами. Предполагается, что в процессе реакционного распыления пленка формируется на поверхности конденсации путем реакции между атомами азота и титана, тогда как в безреакционных методах распыления формирование пленки осуществляется из молекул TiN.