Cтруктура и релаксация поляризованного состояния в тонких пленках Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$ на подложке (001) Si

Представлены результаты исследования структуры и диэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария–стронция, осажденных на монокристаллические подложки кремния без каких-либо буферных слоев. Установлено, что гетероструктуры обладают преимущественным направлением оси c перпендикулярно подложки, а оси $a$ и $b$ стохастически развернуты в плоскости положки. Изучена релаксация поляризации в подобных гетероструктурах. Показано, что методом ВЧ катодного распыления возможно получение интерфейса пленка–подложка высокого качества без заметного количества долгоживущих заряженных дефектов.