Аннотация:
Рассмотрено туннелирование нормально падающей электромагнитной волны через двуслойную структуру, состоящую из слоя феррита и прилегающего к нему слоя с отрицательной диэлектрической проницаемостью. Слой феррита поперечно намагничен внешним магнитным полем, отвечающим области отрицательных значений эффективной магнитной проницаемости. Показано, что можно в широких пределах управлять пропускательной способностью структуры за счет изменения внешнего магнитного поля. В частности, можно добиться туннелирования, близкого к идеальному, т. е. реализовать безотражательное прохождение падающего излучения.
Поступила в редакцию: 28.02.2017 Исправленный вариант: 10.05.2017