RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2017, том 87, выпуск 11, страницы 1682–1686 (Mi jtf6077)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока

И. В. Греховa, А. Г. Люблинскийa, Е. М. Михайловa, Д. С. Полоскинa, А. А. Скидановb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b АО "ВЗПП-Микрон", Воронеж

Аннотация: Для повышения предельной плотности силового тока при выключении интегрального $n^{+}p'Nn'p^{+}$-тиристора импульсом тока в цепи управления необходимо прервать инжекцию электронов из $n^{+}$-эмиттера раньше начала восстановления коллекторного $p'N$-перехода. Это осуществляется с помощью быстро нарастающего импульса запирающего базового тока с амплитудой, равной амплитуде выключаемого тока. После обрыва инжекции эмиттера обратный ток через прибор является током дырок, выводимых из приколлекторной области через базовый электрод. Физическим механизмом, ограничивающим предельную плотность выключаемого тока в этом процессе, является, как и в IGBT-транзисторах, динамический лавинный пробой, инициируемый дырками, выводимыми через область объемного заряда коллекторного $p'N$-перехода.

Поступила в редакцию: 21.03.2017

DOI: 10.21883/JTF.2017.11.45129.2257


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2017, 62:11, 1684–1688

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024