Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства

Исследованы оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Комбинированные измерения топографии поверхности и спектров люминесценции показали возможность управления спектральными характеристиками структур за счет изменения условий формирования и размеров квантовых точек в присутствии атомов примеси. Результаты объясняются особенностями формирования нанокластеров InAs на поверхности GaAs в присутствии атомов Mn или Cr.