RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2017, том 87, выпуск 9, страницы 1416–1422 (Mi jtf6138)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физическая электроника

Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP

С. А. Масаловa, Е. О. Поповa, А. Г. Колоськоa, С. В. Филипповa, В. П. Улинa, В. П. Евтихиевa, А. В. Атращенкоb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Представлен новый способ создания жидкометаллического полевого эмиттера. Обработка пористого кристалла бинарного полупроводникового соединения GaP импульсами высокого напряжения в вакууме позволила получить на его поверхности устойчивые структуры в виде дискретных кластеров галлия. Данные структуры показали хорошие эмиссионные свойства: стабильные токи на уровне нескольких микроампер, а также достаточно высокую равномерность распределения эмиссионных наноцентров по поверхности.

Поступила в редакцию: 16.02.2017

DOI: 10.21883/JTF.2017.09.44921.2210


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2017, 62:9, 1424–1430

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024