А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 2017, том 87, выпуск 6,страницы 900

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Твердотельная электроника

Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

А. К. Бакаров^ab, А. К. Гутаковский^a, К. С. Журавлев^ab, А. П. Ковчавцев^a, А. И. Торопов^a, И. Д. Бурлаков^c, К. О. Болтарь^c, П. В. Власов^c, А. А. Лопухин^c

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c АО НПО "ОРИОН", г. Москва

Аннотация: Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии InSb слоев на подложках InSb. На основе выращенных слоев изготовлены матричные фотоприемные устройства (МФПУ) средневолнового инфракрасного диапазона. Проведено сравнение фотоэлектрических характеристик МФПУ на основе эпитаксиальных слоев и МФПУ, серийно выпускаемых с использованием монокристаллов InSb.

Поступила в редакцию: 12.07.2016

DOI: 10.21883/JTF.2017.06.44514.1986