Аннотация:
Работа посвящена изучению изменения состава и структуры поверхностных слоев CoSi$_{2}$/Si(111) при бомбардировке ионами Ar$^{+}$ с последующим отжигом. Показано, что при низких дозах ($D\le$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$) на поверхности CoSi$_{2}$ формируются нанокластерные фазы, обoгащенные атомами Si, а при высоких дозах – нанопленка чистого Si.