Влияние атомарных пучков кремния и германия на кинетику роста слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в методе Si–GeH$_{4}$ молекулярно-пучковой эпитаксии

Изучена стационарная кинетика роста слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в одном из вариантов гибридного метода молекулярно-лучевой эпитаксии с источником молекулярного германа и сублимирующим бруском кремния. Показано, что в ростовой кинетике нельзя игнорировать ни процессы захвата эпитаксиальной поверхностью радикалов молекул гидридов, ни их последующий распад. Сопоставление экспериментальных данных с результатами кинетического анализа показало совпадение результатов модели с результатами проводимых экспериментов. При низких давлениях германа $P_{\mathrm{GeH}_4}<$ 0.5 mTorr характер ростового процесса полностью определяется особенностями взаимодействия молекулярного пучка моногидрида Ge с ростовой поверхностью. Влияние атомарного пучка Ge c Si-источника начинает проявляться лишь при давлениях германа выше 1 mTorr. В этих условиях потоки атомов Ge и Si с сублимирующего источника Si выравниваются, а концентрация молекул гермила на поверхности достигает насыщения. Наблюдаемое увеличение параметра $\nu_{\mathrm{GeH}_3}$ связано с активирующим влиянием на распад молекул потока атомов кремния с сублимирующего источника.