А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. С. Мешков, В. Н. Пенкин, В. И. Романцевич, М. Б. Успенский, Р. В. Чернов, “Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов”, ЖТФ, 2016, том 86, выпуск 10,страницы 83

Твердотельная электроника

Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов

А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. С. Мешков, В. Н. Пенкин, В. И. Романцевич, М. Б. Успенский, Р. В. Чернов

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Представлены результаты исследований наработки лазерных диодов обычной конструкции и диодов с неинжектируемыми выходными секциями. Обсуждены причины уменьшения наработки диодов с одной просветленной гранью резонатора по сравнению с диодами с двумя защитными покрытиями и излучателями с волоконной брэгговской решеткой.

Поступила в редакцию: 09.07.2015
Исправленный вариант: 16.02.2016