Термополевая эмиссия в наноструктурах с резонансным туннелированием

Представлена модель термополевой эмиссии в наноструктурах с несколькими барьерами и потенциальными ямами между ними, основанная на строгом определении формы квантового потенциала и строгом решении уравнения Шредингера с учетом теплового баланса и влияния пространственного заряда.
Рассмотрены вакуумные и полупроводниковые резонансно-туннельные диодные и триодные структуры с двумя, тремя и более электродами. Приведена формула для коррекции квантового потенциала за счет влияния пространственного заряда. Показано, что в общем случае необходимо рассматривать двустороннее туннелирование и разогрев электродов с разными температурами за счет протекания тока. Рассмотрены условия, когда вклад обратного тока мал, когда можно пренебречь термотоком или туннельным током. Подход может быть распространен на нестационарный случай.