RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1987, том 57, выпуск 4, страницы 778–782 (Mi jtf669)

Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках

Н. Д. Ильинская, С. А. Никишин, М. А. Синицын, Д. В. Синявский, Л. П. Сорокина, Б. С. Явич

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Сообщается о развитии метода селективной безмасочной электрожидкостной эпитаксии (СБЭЖЭ) твердых растворов арсенид галлия–арсенид алюминия. Показано, что локальное пропускание постоянного электрического тока обеспечивает режим управления профилем толщины слоев, выращенных в канавках. Проводится сравнение различных вариантов электрической изоляции, используемой при СБЭЖЭ. Сообщается об эффекте «токового раскисления» и его использовании при заращивании окисленных слоев Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As методом СБЭЖЭ.

УДК: 539.23

Поступила в редакцию: 13.01.1986



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025