Управление электронными свойствами квази-2$D$ ван-дер-ваальсовых гетероструктур борофен/GaN и борофен/ZnO с помощью деформаций

В рамках теории функционала плотности проведено ab initio исследование влияния деформации одноосного и двухосного сжатия/растяжения на электронные свойства двух типов ван-дер-ваальсовых квази-2$D$ гетероструктур. Первый тип гетероструктур образован монослоями гофрированного борофена с треугольной кристаллической решеткой и графеноподобного нитрида галлия. Второй тип гетероструктур образован монослоями гофрированного борофена с треугольной кристаллической решеткой и графеноподобного оксида цинка. Определены случаи деформации, которые привели к появлению энергетической щели в зонной структуре исследуемых гетероструктур. Для объяснения причины открытия щели выполнены расчеты распределений полной и парциальной плотностей электронных состояний. Дана численная оценка величины барьера Шоттки $p$-типа для дырок и барьера Шоттки $n$-типа для электронов в гетероструктурах борофен/GaN и борофен/ZnO.