М. А. Кудряшов, Л. А. Мочалов, М. А. Вшивцев, И. О. Прохоров, Ю. М. Спивак, В. А. Мошников, Ю. П. Кудряшова, П. В. Мосягин, Е. А. Слаповская, В. М. Малышев, “Влияние температуры подложки на свойства пленок GaS, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы”, ЖТФ, 2024, том 94, выпуск 4,страницы 646

Физика низкоразмерных структур

Влияние температуры подложки на свойства пленок GaS, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы

М. А. Кудряшов^ab, Л. А. Мочалов^ab, М. А. Вшивцев^a, И. О. Прохоров^a, Ю. М. Спивак^c, В. А. Мошников^c, Ю. П. Кудряшова^b, П. В. Мосягин^b, Е. А. Слаповская^b, В. М. Малышев^a

^a Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, 603155 Нижний Новгород, Россия
^b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом плазмохимического осаждения из газовой фазы впервые получены тонкие пленки GaS. В качестве прекурсоров использованы высокочистые элементарные Ga и S. Плазму возбуждали высокочастотным генератором (40.68 MHz) при пониженном давлении 0.1 Torr. Изучены состав, структурные и оптические свойства пленок GaS в зависимости от температуры подложки. Все пленки являлись высоко прозрачными (75%) в диапазоне 400–1100 nm.

Ключевые слова: сульфид галлия, пленки, PECVD, структура, оптические свойства.

Поступила в редакцию: 26.06.2023
Исправленный вариант: 30.12.2023
Принята в печать: 17.01.2024

DOI: 10.61011/JTF.2024.04.57536.156-23