Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой

Обсуждены проблемы создания легких гибких InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрических преобразователей с утоненной германиевой подложкой. Рассмотрены подходы к их решению. На базе стандартного фотоэлектрического преобразователя с форм-фактором 40 $\times$ 80 mm и стеклом радиационной защиты толщиной 120 $\mu$m реализована конструкция легкого гибкого солнечного элемента с подложкой Ge, утоненной до $\sim$10 $\mu$m. Удельный вес экспериментальных образцов $\sim$0.6 kg/m$^2$, предельный радиус изгиба – $\sim$54 mm. Для спектра AM0 и температуры 28$^\circ$C эффективность преобразования составляет 27.6% при факторе заполнения $\sim$83.8%. Пассивация поверхности утоненной подложки германия путем осаждения атомов кремния в количестве нескольких атомных слоев при температуре ниже 80$^\circ$C снижает рекомбинационные потери преобразователя.