Влияние режимов облучения наносекундным иттербиевым лазером на морфологию пленок пористого кремния

Показано, что морфологией поверхности пленок пористого кремния можно гибко управлять за счет изменения параметров облучения импульсным наносекундным иттербиевым волоконным лазером. Установлена взаимосвязь между параметрами лазерного облучения пористых пленок и информационно-корреляционными характеристиками их фронтальной поверхности. Исследуемые полупроводниковые структуры могут быть актуальны для реализации нейронных сетей, систем искусственного интеллекта, а также химических датчиков.