RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2024, том 94, выпуск 8, страницы 1217–1228 (Mi jtf6824)

XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Электрофизика

Вставное устройство для EUV-литографии на источнике синхротронного излучения четвертого поколения

А. В. Мурзинаab, Я. В. Ракшунac, Ю. В. Хомяковa, В. А. Черновa

a Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Сибирский государственный университет телекоммуникации и информатики, 630102 Новосибирск, Россия

Аннотация: Рассмотрена оптимизация устройств генерации синхротронного излучения из кольцевого источника четвертого поколения для EUV-литографии. Определены оптимальные длины периодов и проведено сравнение вставных устройств типа APPLE-II и Delta в режимах круговой и линейной поляризации по спектральным, мощностным характеристикам, размерам источника и угловой расходимости. Получены средние значения мощности рабочей гармоники порядка 6 W для круговой поляризации и порядка 2.6 W – для линейной. Оценены когерентные свойства генерируемого излучения: рассчитаны доли когерентных фотонов и построены поперечные функции когерентности.

Ключевые слова: синхротронное излучение, EUV-литография, СКИФ, когерентность, линейная поляризация, круговая поляризация.

Поступила в редакцию: 23.04.2024
Исправленный вариант: 23.04.2024
Принята в печать: 23.04.2024

DOI: 10.61011/JTF.2024.08.58549.129-24



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025