Высокоградиентная асферизация подложек тонкопленочными покрытиями Al/Si

Рассмотрены вопросы пленочной асферизации. В качестве асферизующего покрытия предложена нанесенная на сферическую поверхность многослойная структура Al/Si. Подбором соотношения материалов в периоде произведен поиск состояния, при котором напряжения в многослойной структуре минимизировались. При этом период структуры 9–10 nm соответствует зеркалам нормального падения для диапазона длин волн 17–19 nm, представляющим интерес для солнечной астрономии. С помощью прецизионных фигурных диафрагм между магнетроном и подложкой был сформирован асферический профиль покрытия с максимальным перепадом высот $\sim$1.3 $\mu$m.