Аннотация:
Представлена технология сенсибилизации структуры, состоящей из нанополоски графена на кремниевой подложке Si/GNR в ближнем
IR-диапазоне электромагнитного спектра, основанная на легировании графеновой нанополоски GNR с помощью He$^4$. Экспериментально продемонстрировано увеличение отклика более чем 25 раз на длине волны 1.35 $\mu$m в структуре Si/GNR/He$^4$, по сравнению с Si/GNR не легированной He$^4$. Также Si/GNR/He$^4$ структура проявляет ярко выраженные многоуровневые мемристорные свойства под действием инфракрасного излучения.
Полный текст:
PDF файл (318 kB)