RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2024, том 94, выпуск 11, страницы 1809–1819 (Mi jtf6895)

Плазма

Развитие неустойчивости в диоде Бурсиана

В. И. Кузнецов, В. Ю. Коекин, М. А. Захаров, И. К. Морозов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучена устойчивость стационарных состояний диода Бурсиана (вакуумного диода с пучком электронов) в режиме с отрицательной разностью потенциалов между коллектором и эмиттером. С использованием линейной теории показано, что решения, соответствующие средней (overlap) ветви, являются апериодически неустойчивыми. Численно изучено развитие этой неустойчивости на нелинейной стадии. Использовался высокоточный Е, К-код. Оказалось, что в зависимости от фазы возмущения процесс развивается в противоположных направлениях, и завершается в стационарных состояниях, лежащих на разных ветвях решений. На решения с нижней (normal) ветви процесс выходит апериодическим образом с декрементом, совпадающим с найденным по линейной теории. С другой стороны, на стационарные решения с отражением процесс выходит колебательным образом.
Получено общее выражение для закона сохранения энергии в системе диод – внешняя цепь. В расчетах развития неустойчивости этот закон выполнялся с высокой точностью.

Ключевые слова: диод Бурсиана, эмиттер, неустойчивость.

Поступила в редакцию: 24.07.2024
Исправленный вариант: 16.08.2024
Принята в печать: 18.08.2024

DOI: 10.61011/JTF.2024.11.59097.239-24



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025