Аннотация:
Рассмотрены условия резонансного (почти полного) туннелирования фотонов (плоских монохроматических электромагнитных волн) сквозь слоистые диэлектрические и металлодиэлектрические структуры. Резонансное туннелирование происходит на частотах, на которых выполняются условия резонанса для соответствующих структурам открытых резонаторов. Для металлодиэлектрических структур показана возможность туннелирования в оптическом диапазоне при сильном заграждении в ИК диапазоне, что может быть использовано для контроля пропускания оконных стекол.