Гомогенное зародышеобразование при лазерно-плазмохимическом синтезе твердых покрытий SiCN из гексаметилдисилазана

С использованием дифференциального спектрометра аэрозолей проведено изучение гомогенного образования зародышей твердой фазы в процессе лазерно-плазмохимического осаждения SiCN из паров гексаметилдисилазана в потоке плазмообразующего газа аргона. Найдено, что характерный размер наночастиц SiCN в газовой фазе находится в диапазоне 20–120 nm и зависит от концентрации паров гексаметилдисилазана и скорости общего потока аргона. Проведенные исследования показали, что образование слоя карбонитрида кремния в лазерном плазмохимическом осаждении идет с образованием зародышей в газовой фазе, и при их соударении с подложкой и активации лазерной плазмой образуется твердое наноструктурированное покрытие.