К. О. Седых, Е. Сулеймен, М. И. Святодух, А. Подлесный, В. В. Ковалюк, П. П. Ан, Н. С. Каурова, И. Н. Флоря, К. Е. Лахманский, Г. Н. Гольцман, “Влияние внешнего переменного электрического поля на эффективность сверхпроводникового однофотонного детектора”, ЖТФ, 2023, том 93, выпуск 7,страницы 974

XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' Н. Новгород, 13-16 марта, 2023 г.
Фотоника

Влияние внешнего переменного электрического поля на эффективность сверхпроводникового однофотонного детектора

К. О. Седых^ab, Е. Сулеймен^c, М. И. Святодух^ab, А. Подлесный^c, В. В. Ковалюк^d, П. П. Ан^bd, Н. С. Каурова^b, И. Н. Флоря^bd, К. Е. Лахманский^c, Г. Н. Гольцман^ac

^a Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 109028 Москва, Россия
^b Московский педагогический государственный университет, 119991 Москва, Россия
^c Российский квантовый центр, 121205 Москва, Россия
^d Университет науки и технологий МИСиС, 119049 Москва, Россия

Аннотация: В работе исследован макет поверхностной ионной ловушки для масштабируемого квантового компьютера с радиочастотным электродом и сверхпроводящим однофотонным детектором, с рабочей температурой 4 K. Диапазон амплитуды радиочастотного сигнала варьировался от 10 до 800 mV на частотах от 5 до 20 MHz. Исследован эффект влияния наведенного внешнего радиочастотного поля ловушки на скорость темновых и световых отчетов однофотонного детектора. Результаты работы имеют важное значение при конструировании поверхностных ионных ловушек с планарными однофотонными детекторами.

Ключевые слова: поверхностная ионная ловушка, сверхпроводниковый однофотонный детектор, нитрид ниобия, масштабируемый квантовый компьютер на ионах.

Поступила в редакцию: 03.05.2023
Исправленный вариант: 03.05.2023
Принята в печать: 03.05.2023

DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55756.88-23