Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP

Приведены результаты исследования особенностей эпитаксиального роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии сверхрешеток на основе сильно напряженных тонких слоев InGaAs/InAlAs на подложке InP. Показано, что скорости роста объемных слоев InGaAs и InAlAs, согласованных по постоянной решетки с InP, не позволяют точно определить скорости роста тонких сильно напряженных сверхрешеток типа In$_{0.36}$Al$_{0.64}$As/In$_{0.67}$Ga$_{0.33}$As, а ошибка составляет порядка 10%. Эффект связан с различием температуры роста слоев InGaAs и InAlAs, влияющей на интенсивность испарения индия с ростовой поверхности.